在搭載半導體晶片(W)而兼作下部電極的基座上，按照包圍半導體晶片(W)的周圍那樣設定聚焦環(6)。聚焦環(6)由薄板狀的環形部件(6a)和下側環形部件(6b)組成，前述薄板狀的環形部件(6a)按照從前述被處理基板的外周邊緣部設定一定間隔而包圍半導體晶片(W)的周圍那樣配置，前述下側環形部件(6b)按照位於半導體晶片(W)和薄板狀的環形部件(6a)之間且位於半導體晶片(W)和薄板狀的環形部件(6a)下側那樣配置。
簡介
其特徵在於，具有：電漿處理室、配置在所述電漿處理室內並搭載被處理基板的載置台、按照從所述被處理基板的外周邊緣部設定間隔而包圍所述被處理基板的周圍那樣配置的環部件、以及按照位於所述被處理基板以及所述環部件的下側那樣配置的下側環部件。
套用
聚焦環和電漿處理裝置，在可以提高處理的面內均勻性的同時，與現有技術比較，還可以減小澱積對半導體晶片的周緣部分背面一側的發生。在真空室(1)內，設定有載置半導體晶片W的載置台(2)，以把載置到該載置台(2)上的半導體晶片W的周圍圍住的方式設定聚焦環(8)。聚焦環(8)由由介電物質構成的環狀的下側構件(9)、和配置在該下側構件(9)的上部，由導電性材料構成的環狀的上側構件(10)構成，上側構件(10)的上表面的外周一側被作成為比半導體晶片W的被處理面還高的平坦部分(10a)，該平坦部分(10a)內周部分被作成為使得外周一側變成為比內周一側還高那樣地進行傾斜的傾斜部分(10b)。
