個人簡述
長期從事射頻、微波及毫米波單片電路及組件等方面的產品研發，是通信終端核心射頻晶片如功率放大器、極低噪聲放大器、混頻器、振盪器（RFIC PA 、 LNA、Mixer、VCO）等方面的國際知名專家，對GaAs HBT， GaAs pHEMT，SiGe HBT，BiCMOS FET、CMOS FET等工藝及器件模型有很深入的研究，擁有二十多年產品設計和產業化經驗，積累了豐富的項目管理和研發團隊管理經驗。曾作為團隊帶頭人和項目負責人主持了20多項科研項目，在國際會議及刊物上發表論文30餘篇，申請明專利10項；曾多次組織和主持業界重要的國際會議和論壇，作專題邀請報告10餘次。此外，還作為團隊帶頭人參與了中國某專用射頻晶片設計有限公司承擔的兩項國家863計畫項目。
特別受聘Skyworks Inc以來，專門開發3G/4G智慧型手機及移動終端用的高線性射頻單片集成功率放大器晶片及模組。2005年底完成鑑定的用於3G手機的高線性GaAs HBT功放產品被Motorola公司的Riza機型和Rimm公司的Blackbury的某機型獨家選用，2006年總出貨量上千萬。2007-2008年期間領導團隊開發了一種全新的功放電路架構 （Dual Mode Load Insensitive Power Amplifier Architecture）。 採用此架構的功放性能少受負載變化的影響。用此新架構的3G功放系列大受手機供應商的青睞。章博士領導的團隊用此新架構推出的第一款功放產品被Sony Ericson 公司選中。2008年銷量2千萬。此新架構的發明被公司授予唯一2008年度發明大獎。我領導的團隊用此新架構繼續開發了通用於2.5G和3G手機的功放包括開關的前端模組，2009年被Nokia， Samsung，LG， Rimm， 等手機供應商選用，2009年總出貨量為5千萬餘。章博士領導的團隊還從2009年初開始於另一團隊合作共同開發了最新一代多模（WCDMA/CDMA2000/LTE）共五款不同頻率的手機功放晶片（含Daisy-Chain Coupler）。2010年4月開始量產， 其中兩款（cell band和UMTS band）至今總出貨量已超過4千萬。該產品系列廣泛用於手機，Tablet， 數據卡等移動終端。此功放系列採用另一種新型電路架構，在低功率段有很大的效率改善，產品性價比屬業界最優。此成果研發內容已在Skyworks2010年度的技術會議上發表，並獲邀在2010年11月初的IEEE ICSICT（中國上海）作特邀報告。領導的團隊正開發用倒裝晶片封裝技術的超小型，廉價，高性能智慧型手機用的功放晶片系列，預計2011年中完成。此產品將極具市場競爭力，各手機大廠都看好並拭目以待我們的新一代產品。此外本人還領導參與研發用於新一代移動通訊的基站推動級功率放大器，極低噪聲放大器晶片，射頻多路開關晶片等射頻專用晶片的研發與產業化。
曾獲南京電子器件研究所（55所）科技進步一等獎及電子部科技進步二等獎。赴美工作期間，多次榮獲美國公司發明大獎，被美國出版的2010年期Who’s who收編為名人錄。主導撰寫多部專著及公司內部技術報告。章博士現擔任IEEE多種重要職務。曾多次組織和主持國際會議和論壇，作專題邀請報告10餘次，並在多個科技協會和期刊中任審稿和編輯。
科學學位
控制科學與工程測試計量技術及儀器通信與信息系統精密儀器及機械儀器科學與技術信息與通信工程
教育背景
1985年07月 中國 南京工學院（現東南大學） 電磁場與微波技術 學士學位（B.S.）
1988年04月 中國 南京工學院（現東南大學） 電磁場與微波技術 碩士學位（M.S.）
1996年11月 英國 英國Leeds大學 微電子學 博士學位（Ph. D）
工作經歷
1988年-1993年 中國 南京電子器件研究所 微波積體電路及模組設計組組長
1996年-1998年 美國 Epsilon-Lambda Electronics Corp 高級工程師
1998年-2004年 美國 California Amplifier Inc. 首席設計師
2004年 至今 美國 Skyworks Solutions Inc. 新產品開發部高級經理 資深首席設計師
學術兼職
IEEE Senior Member
IEEE Radio-Frequency Integrated Circuits Symp. (RFIC), Technical Program Committee
IEEE RFIC Symp., Active/Passive Circuit Committee Chair/co-Chair, 2007-2009.
Editorial Board Member, International Journal of Active and Passive Electronic Components, Hindawi Publishing
主要榮譽
1st Place of Advanced Science and Technology for the product: the Ka band Pulsed Injection-locked IMPATT Oscillator, in Nanjing Electronics Device Institute, Nanjing, P. R. China in 1989.
2nd Place of Advanced Science and Technology for the product: the Ka band Pulsed Injection-locked IMPATT Oscillator, in the Ministry of Electronics, P. R. China, 1990
Sino-British Scholarship for PhD Education in the United Kingdom from 1993-1996.
76GHz Car Collision Avoidance Front-end Module: 1st Prototype in the world for Toyota Motors, Japan.
Ku band dual channel extremely low noise Direct-Broadcasting Satellite (DBS) receivers (chipset and module), Innovation Award, California Amplifier Inc, California, USA, in 2003.
Load Insensitive Power Amplifier Technologies, Innovation Award, Skyworks Solutions Inc, USA, in 2008.
Who’s Who in America, 2010 Edition.
主要論文
在國際會議及刊物上發表論文30餘篇，主導撰寫多部公司內部技術報告。曾多次組織和主持國際會議和論壇，作專題邀請報告10餘次。
S. Fan, H. Tang, H. Zhao, X. Wang, A. Wang, B. Zhao, G. Zhang, “Enhanced Offset Averaging Technique for Flash ADC Design”, in press, Tsinghua Science and Technology, V16, N3, June 2011.
X. Wang, L. Lin, H. Tang, H. Zhao, Q. Fang, J. Liu, S. Fan, A. Wang, B. Zhao, L. Yang and G. Zhang, “Low Power 3.1-10.6GHz IR-UWB Transmitter for Gbps Wireless Communications”, in press, Science China, 2011.
J. Liu, L. Lin, X. Wang, H. Zhao, H. Tang, Q. Fang, A. Wang, L. Yang, H. Xie, S. Fan, B. Zhao, G. Zhang and X. Wang, “Tunable Low-Voltage Dual-Directional ESD Protection for RFICs”, Proc. IEEE
J. Liu, L. Lin, X. Wang, H. Zhao, H. Tang, Q. Fang, A. Wang, H. Chen, H. Xie, S. Fan, B. Zhao and G. Zhang, “Vast-Fast Low-Triggering LTdSCR ESD Protection Structure for RF ICs in CMOS”, IEEE RFIC Symp.
G. Zhang, S. Khesbak, A. Agarwal and S. Chin，”Evolution of Handset RFIC Power Amplifiers”, Invited，IEEE Microwave Magazine,
G. Zhang，”Linear Handset Power Amplifier Architectures and its Packaging Technologies”, Invited，Proc. IEEE International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)，November, 2010.
G. Zhang, “Multi-mode handset power amplifier design with high performance daisy chain coupler at cell band”, Proc. Skyworks Tech Conf., 2010.
G. Zhang and J. Hoang “Self-compensated high performance daisy chain coupler for handset linear power amplifier applications”. Proc. Skyworks Tech. Conf. 2010.
L. Lin, X. Wang, H. Tang, Q. Fang, H. Zhao, A. Wang, R. Zhan, H. Xie, C. Gill, B. Zhao, Y. Zhou, G. Zhang and X. Wang, “Whole-Chip ESD Protection Design Verification by CAD”, Invited, Proc. EOS/ESD Symp
X. Wang, B. Qin, H. Xie, L. Lin, H. Tang, Q. Fang, H. Zhao, S. Wang, A. Wang, H. Chen, B. Zhao, Y. Zhou, L. Yang and G. Zhang, “FCC-EIRP-Aware UWB Pulse Generator Design Approach”, Invited, Proc. IEEE Intl. Conf. Ultra Wideband (ICUWB),
F. Zhang, Z. Wang, A. Wang, W. Chen, B. Zhao and G. Zhang, “Design Optimization and Modeling of on-Chip RF Inductors in 0.13μm and 90nm Standard CMOS”, Proc. IEEE MWSCAS
X. Mu, Z. Alon, G. Zhang and S. Chang，”Analysis of Output Power Variation under Mismatched Antenna Load in Power Amplifier FEM with Directional Coupler”, Proc. IEEE MTTS-IMS
G. Zhang, S. Chang, S. Chen and J. Sun, “Dual Mode Efficiency Enhanced Linear Power Amplifiers Using a New Balanced Structure”, Proc. IEEE RFIC Symp., 2009.
X. Wang, H. Tang, L. Lin, Q. Fang, H. Zhao, Albert Wang, G. Zhang, X. Wang, Y Zhou, Lee Yang and H. Chen , “ESD Protection for RF/AMS ICs: Design and Optimization”, Invited, Proc. IEEE Intl. Conf. IC Design and Technology (ICICDT),
G. Zhang and S. Chang，”Power Amplifier Architectures for 3G Handsets: Balanced v.s. Single-ended Structure”，Invited，IEEE RFIC/IMS Workshop on Power Amplifiers and Transmitters for Mobile Products, 2008.
X. Mu, G. Zhang and S. Chang, “AMS power amplifier design from Passkey to Castor”, Proc. Skyworks Tech. Conf., 2008.
G. Zhang, S. Chang, Z. Alon, Albert Wang (not me Be accurate.) and K. Weller，”A Balanced Power Amplifier and Its Implementation in Mobile Handsets”，Invited paper，Microwave Workshops and Exhibition MWE, 2007, Japan.
G. Zhang, S. Chang and Z. Alon，”A High Performance Balanced Power Amplifier and Its Integration into a Front-end Module at PCS Band”， Proc. IEEE MTTS International Microwave Symp. (IMS)
G. Zhang, S. Chang and Albert Wang，”WCDMA PCS Handset Front End Module”，Proc. IEEE MTTS International Microwave Symp. (IMS),
G. Zhang, R. D. Pollard and C. M. Snowden, “Large Signal Optically Controlled HEMT and Oscillator Design”, IEE Proc.-G, Microwave, Antenna and Propagation,
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G. Zhang, “An 8mm IMPATT Injection-locked Amplifier”, Research and Progress of Solid State Electronics (SSE), Journal of Nanjing Electronics Device Institute ,Nov., 1993.
G. Zhang and Q. Zou, “A W-band Electrically-tuned Oscillator”, Research and Progress of Solid State Electronics (SSE), Journal of Nanjing Electronics Device Institute, August 1993.
G. Zhang and Q. Zou, “Design and Characterization of a W-Band Bias-tuned Gunn Diode Oscillator”, Proc. of Int’l Conf. Microwave and Communications, June 1992.
G. Zhang and Q. Yang, “CAA of Discontinuities of Finline with Bends or T-junctions by the Finite Element Method”, Proc. of CIE/CIC National Conf. Microwave, Sept., 1987.
G. Zhang and Q. Yang, “The Finite Element Method for Solving Dispersion Characteristics of Finline with a Circular Cross Section”, Journal of Nanjing Institute of Technology, May 1987.
智慧財產權
Multi-mode High Efficiency Linear Power Amplifier,授權國家：美國
Multi-mode High Efficiency Linear Power Amplifier,授權國家：台灣中國
Self-compensated daisy chain high directional coupler,申請國家：美國
A Method and Structures to Reduce Coupling Coefficient Variation and VSWR Using Intended Mismatch in Daisy Chain Couplers, 申請國家：美國
Dual Supply HBT Biasing Circuit for Low Battery Usage申請國家：美國
A New LIPA-Based Architecture for Multi-mode Power Amplifier Applications, 申請國家：美國
A Novel Tunable Structure for EMI Shielding and RF Performance Optimizing of Semiconductor Devices, 申請國家：美國
RF Power Amplifier Thermal Relief Enabler using a Flip-chip Packaging Technology, 申請國家：美國
New Laminate Plating Technology for High Performance and Low Cost RF Module Applications, 申請國家：美國
A Novel RF Shielding Structure for RF Power Amplifier Module, 申請國家：美國
科研方向
射頻、微波及毫米波單片電路及組件等方面的產品研究
科研項目
1988-1989 Ka波段雪崩注入鎖定放大器，多用，正樣，一人，工程師，項目負責人
1990 Ku波段介質振盪器（FET DRO）、保全及自動門控制用的Ku波段收發前端，商用，澳大利亞，每年一萬套，五人，工程師，項目負責人
1991-1993 微組裝Ku波段極寬頻壓控振盪器、W波段Gunn振盪器、Ka波段FWCW制導收發前端，多用，正樣，十三人，微波積體電路設計組組長，項目管理
1996-1998 76GHz汽車防控及智慧型控制的收發前端模組，商用，日本豐田汽車公司產權所有，五人，高級工程師，項目負責人
1998-1999 寬頻衛星通訊系統的C及Ku波段，MMIC極低噪聲pHEMT放大器晶片，商用，美國DirecTV公司，每年百萬套，兩人，高級工程師，項目負責人
2000-2001 C波段單路衛星通訊接收前端，商用，美國Echostar衛星電視公司，每年百萬套，四人，首席工程師，項目負責人
2002-2003 Ku波段雙路衛星通訊接收前端，商用，美國Echostar衛星電視公司，每年百萬套，五人，項目經理，首席工程師
2003-2004 Ku波段VSAT衛星收發前端，多用，寬頻衛星數據傳輸，小批量，五人，項目經理，首席設計師
2004-2005 WCDMA Front-end Module （FEM），商用，Motorola手機公司，小批量，五人，項目經理，首席設計師
2006-2007 HSPA Front-end Module （FEM），商用，MotorolaRiza機型，每年四百萬套，五人，項目經理，首席設計師
2007-2008 GMSK/EDGE Quad-band, PA FEM，商用，Apple公司iPhone 4，2010年出貨八百萬套，七人工程部技術經理，首席設計師，項目負責人
2008-2010 Multi-mode Cell Band 800MHz PAM andWCDMA UMTS 900 PAM 兩款產品，商用，Samsung, Sony-Ericson及其他手機與數據卡產商至今出貨四千萬套，八人，工程部高級經理，智深首席設計師，項目負責人
2008至今 面向軟體無線電的可重構射頻積體電路設計，國家863課題項目，十人，課題組長
2009至今 多模式多頻段寬頻無線通信射頻前端SoC晶片開發，國家863課題項目，十三人，課題付組
