磊晶

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth）；或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。 磊晶技術可用以製造矽電晶體到 CMOS 積體電路等各種元件，但在製作化合物半導體例如砷化鎵時，磊晶尤其重要。

成長技術種類

化學氣相沉積法，英文： Chemical Vapor Deposition (CVD)

主條目：化學氣相沉積

分子束磊晶技術，英文： Molecular Beam Epitaxy (MBE)

在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的技術。 參見真空蒸鍍技術。

液相磊晶法，或稱液態磊晶技術，英文： Liquid Phase Epitaxy (LPE)

固相磊晶，英文： Solid Phase Epitaxy (SPE)

參考文獻

Jaeger, Richard C.. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication. 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.