簡介
在國內首先研製出高亮度橙黃色AlGaInP發光二極體,並提出一種提高發光效率的新結構。以GaAs、InP基為主,主要研究AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、InGaAlAs等料系的MOCVD外延生長及半導體雷射器、探測器的設計和工藝製作。半導體發光管、雷射器和探測器廣泛套用於光通信、光信息處理、雷射醫療、雷射加工等領域。參加我國半導體照明工程攻關項目和重大項目的實施,十五期間參與研究出GaN基50lm/W的大功率白光發光二極體,達到當時國際產業化先進水平。承擔並完成多項國家863項目,申請10多項國家發明專利。2004-2005先後訪問德國亞深工業大學、日本名古屋工業大學和名城大學。王國宏研究員多年從事光電子器件材料的MOCVD生長。國家半導體照明研發與產業聯盟專利池工作組組長。承擔過多項863、973項目,完成的863重大項目“新型大功率LED期間研究”實現80lm/W發光效率,2008年10月通過科技部組織的專家評審,處於國際先進水平。
獲獎情況
2008年,由經濟開發區管委會授予揚州市經濟開發區“領軍型國際化創業創新人才”
成果名稱:半導體照明用高效大功率LED外延片核心技術研發