電化學實驗中沉積電位的確定
在電化學測試中，循環伏安上的峰通常都是擴散控制引起的，在這個電位附近進行沉積時其電位並非沉積電位，而是要通過數學方法找到最佳沉積電位。一般是做極化曲線，在斜率迅速增大的那段直線上選個合適的電位進行恆電勢沉積，或者是這個電位對應的電流密度下進行，這些電位一般都是沉積電位。對於恆電流沉積，比較好用的是電化學工作站，在工作站中選擇liner sweet scan，也就是線性掃描E-i曲線，從開路電位向更負的方向掃描，掃描速度要儘可能地慢，這樣才能保證是穩態過程（區別於循環伏安快速掃描的暫態過程），一般1mV/s，或0.5mV/s，只要能把實際電沉積時的電流密度的那個位置體現出來，這樣也可以確定實驗中所需的沉積電位。
套用舉例
沉積電位對銀納米晶體生長形態的影響
納米晶體的形貌生長控制研究是有重大意義的，因為納米材料的本徵物理和化學性質在很大程度上取決其納米粒子的晶體形貌( 表面原子確定的外晶面) 和晶體尺寸。採用電化學方法，通過調節沉積電位，可以製備出一系列形貌較好、尺寸可控的銀納米晶體，本方法具有材料利用率高、操作簡便，又可精確控制顆粒形貌和尺寸等特點。
採用電沉積法製備了銀納米晶體，並對樣品的微結構及其光學性質進行了表征。結果表明: 改變沉積電位，樣品表面的最終形貌會發生很大的差異，沉積電位過負( － 0． 8 V) ，銀納米粒子基本上以多面體結構存在; 當沉積電位 E = － 0． 2 V，其表面形貌呈現樹枝晶; E = 0 V 時，納米銀為羽毛狀; 沉積電位為正時( 0． 2 V，0． 3 V) ，最終形成了分散的銀納米粒子。不同沉積電位下製備出樣品的 UV － Vis 光譜表明，在沉積電位 E = － 0． 2 V 時，呈現樹枝晶的納米銀在 350 nm 處有一個明顯的吸收峰，其它沉積電位下製備的納米銀也分別在 360 ～ 380 nm 之間具有吸收峰，但是沒有在 E = － 0． 2 V 時的吸收峰顯著。
