通常Bulk-OSF呈環狀分布，就是所謂的OSF環，其成核於環狀分布的氧沉澱，這與晶體生長參數密切相關。
在晶體生長時會形成本徵點缺陷，在冷卻後矽中本徵點缺陷是過飽和的。在晶體冷卻過程中，部分空位（V）和自間隙矽原子（I）相複合，過剩的自間隙可形成位錯環；過剩的空位聚集形成空位團，或者與氧相互作用形成V-O複合體，並長大成為氧沉澱。
晶體生長時，籽晶和坩堝都在轉動，因此可以認為熱場是軸對稱的。大量研究表明矽片中存在環狀OSF對應於[v]=[I]。[V]表示空位濃度，[I]表示自間隙矽原子濃度，內部[V]>[I ]，外部則相反。當濃度V較高時形成void，較低時則與氧結合形成V-O複合體，在後續的熱處理中長大成氧沉澱；大致在[V]=[I]處，氧產生異常沉澱，在後續的熱氧化中會形成OSF。此環的半徑r由晶體生長速度v與固液界面處的軸向溫度梯度G的比值a=v/G決定，a增加則r增加，由於晶體表面的軸向溫度梯度較中心大，由上面的分析可知存在某個臨界ac 使得在其內部為V富集區域，外部為I富集區域。
晶體生長結束尾部可迅速降至400攝氏度一下，而頭部則是緩慢的冷卻，相當於經歷了一定程度的熱處理，V聚集形成void嗎，間隙氧與V作用形成氧沉澱。實際生產中r-OSF一般不可能消失於晶體中心，而是傾向於向體表移動，直到移到體外，在接近ac 處，當空位和間隙氧濃度處於特定值時，會相互作用生成異常氧沉澱。當OSF成核與此氧沉澱時便形成OSF環。當然並不是所有的氧沉澱都會引起OSF：氧沉澱太大或者應力太大則成環，應力太小則不足以引起OSF環。
