楊樹[浙江大學電氣工程學院教授、博士生導師]

楊樹，女，1990年6月5日生，安徽合肥人，浙江大學電氣工程學院教授、博士生導師。 本科畢業於復旦大學，博士畢業於香港科技大學 。浙江大學“百人計畫”研究員，香港博士獎學金獲得者。 研究領域為下一代高效率能量轉換系統中的GaN半導體器件核心技術及物理機理，已在TED、EDL、IEDM、APL等國際頂級期刊及會議發表論文60餘篇，研究成果目前已被工業界雜誌如《Compound Semiconductor》、《Semiconductor Today》等廣泛引用。

教育經歷

2010年本科畢業於復旦大學微電子學專業；

2014年博士畢業於香港科技大學電子計算機工程專業

工作經歷

2014年在香港科技大學獲得電子計算機工程博士學位後，先後在香港科技大學擔任客座助理教授，在英國劍橋大學做博士後。

2016年回國後，進入浙江大學電氣工程學院，擔任“百人計畫”研究員。

學術論文

楊樹

近五年來在本領域權威期刊IEEE EDL、IEEE T-ED、APL，電子器件和功率半導體頂級會議IEDM、ISPSD等 共發表60餘篇論文（其中SCI論文30餘篇），編寫英文專著章節一章，其中一篇論文被德國Wiley-VCH期刊PSSA選為封面，受邀在IWN’2012、RFIT’2015、ISCS’2016、IFWS’2016、MOCVD’2016等會議上做特邀報告。作為第一作者的研究成果被包括美國工程院院士、歐洲科學院院士、英國皇家工程院院士、中國科學院院士等著名學者，以及Infineon、TSMC、NXP等國際領先半導體公司多次引用和正面評價，多次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today產業雜誌專題報導。

IEEE和EDS、PELS會員；IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、PSS等國際期刊審稿人，被IEEE EDL（2015-2017年）和IEEE T-ED（2014-2017年）評為金牌審稿人。

研究領域

研究領域為下一代高效率能量轉換系統中的GaN半導體器件核心技術及物理機理。GaN，即氮化鎵，屬於第三代半導體材料。

主要從事寬禁帶半導體電力電子器件的設計、微納製造、分析表征以及可靠性研究。在氮化鎵MIS器件界面最佳化、矽基氮化鎵器件緩衝層陷阱效應物理機制、基於同質外延的垂直型氮化鎵電力電子器件等方向開展了一系列工作。

獲得獎勵

浙江大學“百人計畫”引進人才

香港科技大學 PhD Research Excellence Award （每年三位獲獎者）

Hong Kong PhD Fellowship（首屆）

上海市優秀畢業生

國家一等獎學金

1.

浙江大學“百人計畫”引進人才

2.

香港科技大學 PhD Research Excellence Award （每年三位獲獎者）

3.

Hong Kong PhD Fellowship（首屆）

4.

上海市優秀畢業生

5.

國家一等獎學金