巨磁阻抗效應

巨磁阻抗效應是指磁性材料的交流阻抗隨著外加直流磁場的變化而發生顯著變化的效應。 1992年，日本名古屋大學的K.Mohri教授等在CoFeSiB軟磁非晶絲中發現了巨磁阻抗(GMI)效應，其阻抗變化率△Z/Z0在幾Oe磁場作用下可達50%，比金屬多層膜Fe/Cu或Co/Ag在低溫且高磁場強度下觀察到的巨磁電阻效應高一個數量級。 此後，人們在非晶薄膜、玻璃包裹非晶絲材料、納米晶合金帶材料中相繼發現了巨磁阻抗效應。

巨磁阻抗效應是指磁性材料的交流阻抗隨著外加直流磁場的變化而發生顯著變化的效應。
1992年，日本名古屋大學的K.Mohri教授等在CoFeSiB軟磁非晶絲中發現了巨磁阻抗(GMI)效應，其阻抗變化率△Z/Z0在幾Oe磁場作用下可達50%，比金屬多層膜Fe/Cu或Co/Ag在低溫且高磁場強度下觀察到的巨磁電阻效應高一個數量級。由於巨磁阻抗（GMI）效應具有靈敏度高、反應快和穩定性好等特點，所以其在感測器技術和磁記錄技術中具有巨大的套用潛能，特別是研製靈敏度高、穩定性好、低功耗、微型化的磁敏感測器。此後，人們在非晶薄膜、玻璃包裹非晶絲材料、納米晶合金帶材料中相繼發現了巨磁阻抗效應。