半導體製造技術導論

內容介紹

《半導體製造技術導論(第2版)》共包括15章：第1章概述了半導體製造工藝；第2章介紹了基本的半導體工藝技術；第3章介紹了半導體器件、積體電路晶片，以及早期的製造工藝技術；第4章描述了晶體結構、單晶矽晶圓生長，以及矽外延技術；第5章討論了半導體工藝中的加熱過程；第6章詳細介紹了光學光刻工藝；第7章討論了半導體製造過程中使用的電漿理論；第8章討論了離子注入工藝；第9章詳細介紹了刻蝕工藝；第10章介紹了基本的化學氣相沉積（CVD）和電介質薄膜沉積工藝，以及多孔低k電介質沉積、氣隙的套用、原子層沉積（ALD）工藝過程；第11章介紹了金屬化工藝；第12章討論了化學機械研磨（CMP）工藝；第13章介紹了工藝整合；第14章介紹了先進的CMOS、DRAM和NAND快閃記憶體工藝流程；第15章總結了《半導體製造技術導論(第2版)》和半導體工業未來的發展。適合作為高等院校微電子技術專業的教材，也可作為從事半導體製造與研究人員的參考書及公司培訓員工的標準教材。