半導體深耗盡狀態

深耗盡狀態（Deep depletion condition）是半導體表面或者界面的一種特殊的載流子被耗盡的狀態。
當半導體表面在外電場作用下，表面能帶即將發生彎曲，並將出現載流子濃度發生了變化的各種表面狀態。如果外電場使得半導體表面的表面勢(ψs)大於0、並接近半導體Fermi勢(ψb)時，半導體表面即成為載流子缺少的所謂耗盡狀態；進一步，如果ψs =ψb，則表面耗盡層厚度達到了最大，但還沒有出現反型層時的表面，即為所謂弱反型狀態；如果ψs ≥ 2ψb，則表面耗盡層厚度達到了最大、並出現了反型層，這就是所謂強反型狀態。相反，如果外電場使得半導體表面的表面勢(ψs)小於0，在表面附近處積累有大量的多數載流子，則成為所謂積累狀態。
然而若是脈衝式外電場的作用，即使達到了ψs ≥ 2ψb，但由於少數載流子的產生需要一定的壽命時間，則也不會立即出現反型層，而仍然保持為耗盡的狀態（這時的耗盡厚度比最大耗盡層厚度還要大）；這種多數載流子完全被耗盡了的，應該出現、而又一時不出現反型層的半導體表面狀態，就特別稱為深耗盡狀態。
半導體表面深耗盡的區域是少數載流子的一種勢阱，可以容納注入到其中的少數載流。電荷耦合器件（CCD）就是利用半導體表面深耗盡勢阱來存儲信號電荷、並進行電荷轉移的一種器件，它可用於攝象（光注入信息電荷）、信息處理和數字存儲等的。