劉明[中國科學院院士]

劉明，女，1964年4月出生於江西豐城，微電子科學與技術專家，中國科學院院士中國科學院微電子研究所研究員、博士生導師，中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室主任 。

人物經歷

1985年，合肥工業大學本科畢業，獲得學士學位。

1988年，合肥工業大學碩士研究生畢業，獲得碩士學位。

1998年，北京航空航天大學博士研究生畢業，獲得博士學位。

2000年，被聘為中國科學院微電子研究所研究員和納米加工與新器件集成技術研究室主任。

2008年，獲得國家傑出青年基金資助。

2015年7月31日，入選中國科學院院士增選初步候選人名單。 2015年12月7日，當選中國科學院院士 。

2018年1月25日，出任中國科學技術大學國家示範性微電子學院院長一職。

主要成就

科研成就

劉明長期從事半導體存儲器和積體電路的微納加工等方面的研究。闡明了阻變存儲器機理，建立了相應的物理模型；提出了功能層摻雜和局域電場增強的阻變存儲器性能調控方法，提高存儲器整體性能。拓展了新型快閃記憶體材料和結構體系，提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理。發展了積體電路的微納加工技術並拓展到禁運的短波衍射元件研製中。曾獲國家技術發明二等獎3項、國家科技進步二等獎1項、中國真空科技成就獎和科學院傑出成就獎等獎項 。

劉明研究員長期致力於微電子科學技術領域的研究，在存儲器模型機理、材料結構、核心共性技術和積體電路的微納加工等方面做出了系統、創造性貢獻。代表性成果包括：建立了阻變存儲器（RRAM）物理模型，提出並實現高性能RRAM和集成的基礎理論和關鍵技術方法，產生重要國際影響。拓展了新型快閃記憶體材料和結構體系，提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理，為存儲器產業發展提供關鍵理論和技術基礎。她發表SCI收錄論文250多篇，SCI他引（劉明或合作者均視為自引）超過2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項工作列入2013年ITRS（國際半導體發展路線圖）、多項工作作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領域重要國際會議做邀請報告30多次。授權發明專利180件（含美國授權專利7件），主要專利轉讓/許可到多家重要積體電路企業。

主持參與了多項國家973、863項目。在國際上首次採用軟X射線曝光技術實現了256位分子存儲器；在32nm技術節點以下的非揮發性存儲器替代方案上，提出了利用金屬摻雜的技術手段來提高阻變存儲器（RRAM）性能和成品率的方法，成為國際上最早提出此概念的兩個小組之一，在漸進型的非揮發性存儲器替代方案上，著眼於納米晶浮柵存儲結構（Nano-Floating Gate）。

榮譽表彰

劉明研究員曾獲國家技術發明二等獎3項（2013年（排名第1）、2007年（排名第2）、2005年（排名第4））、國家科技進步二等獎1項（2009年（排名第4））、中國電子學會科學技術獎自然科學類一等獎（2015年（排名第1））、北京市科學技術一等獎2項（2010年（排名第1）、2003年（排名第10））、北京市科學技術二等獎2項（2014年（排名第1）、2002年（排名第3））、中國真空科技成就獎（2012年）和中科院傑出成就獎（2014年（排名第8））等獎項。