發展過程
誕生
IBM產，CANDA製造的EDO記憶體條發展
記憶體晶片的狀態一直沿用到286初期，鑒於它存在著無法拆卸更換的弊病，這對於計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒於此，記憶體條便應運而生了。將記憶體晶片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主機板上也改用記憶體插槽。這樣就把記憶體難以安裝更換的問題徹底解決了。
在80286主機板發布之前，記憶體並沒有被世人所重視，這個時候的記憶體是直接固化在主機板上，而且容量只有64～256KB，對於當時PC所運行的工作程式來說，這種記憶體的性能以及容量足以滿足當時軟體程式的處理需要。不過隨著軟體程式和新一代80286硬體平台的出現，程式和硬體對記憶體性能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，記憶體必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“記憶體條”概念。
在80286主機板剛推出的時候，記憶體條採用了SIMM（SingleIn-lineMemoryModules，單邊接觸記憶體模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8片數據位和1片校驗位組成1個bank，正因如此，我們見到的30pinSIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場，搭配80286處理器的30pinSIMM記憶體是記憶體領域的開山鼻祖。
隨後，在1988～1990年當中，PC技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU已經向16bit發展，所以30pinSIMM記憶體再也無法滿足需求，其較低的記憶體頻寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pinSIMM記憶體出現了，72pinSIMM支持32bit快速頁模式記憶體，記憶體頻寬得以大幅度提升。72pinSIMM記憶體單條容量一般為512KB～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pinSIMM記憶體無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pinSIMM記憶體淘汰出局了。
EDODRAM（ExtendedDateOutRAM，外擴充數據模式存儲器）記憶體，這是1991年到1995年之間盛行的記憶體條，EDO-RAM同FPDRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出記憶體與傳輸記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據傳送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，頻寬32bit，速度在40ns以上，其主要套用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991年到1995年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年記憶體技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDORAM有72pin和168pin並存的情況，事實上EDO記憶體也屬於72pinSIMM記憶體的範疇，不過它採用了全新的定址方式。EDO在成本和容量上有所突破，憑藉著製作工藝的飛速發展，此時單條EDO記憶體的容量已經達到4～16MB。由於Pentium及更高級別的CPU數據匯流排寬度都是64bit甚至更高，所以EDORAM與FPMRAM都必須成對使用。
SDRAM記憶體條自IntelCeleron系列以及AMDK6處理器以及相關的主機板晶片組推出後，EDODRAM記憶體性能再也無法滿足需要了，記憶體技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時記憶體開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM記憶體為PC66規範，但很快由於Intel和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體性能，頻寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM的頻寬為64bit，正好對應CPU的64bit數據匯流排寬度，因此它只需要一條記憶體便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO記憶體。
不可否認的是，SDRAM記憶體由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，儘管沒能徹底解決記憶體頻寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恆的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌記憶體超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的記憶體。
儘管SDRAMPC133記憶體的頻寬可提高頻寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium4計畫，所以SDRAMPC133記憶體不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣RambusDRAM記憶體（稱為RDRAM記憶體）。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單記憶體架構，基於一種類RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的複雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium4處理器，因此RambusDRAM記憶體是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧，RambusDRAM記憶體以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此記憶體頻寬相當出色，如PC10661066MHz32bits頻寬可達到4.2GByte/sec，RambusDRAM曾一度被認為是Pentium4的絕配。
儘管如此，RambusRDRAM記憶體生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的RambusRDRAM記憶體因出現Intel820晶片組“失誤事件”、PC800RambusRDRAM因成本過高而讓Pentium4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR記憶體面前。
DDR記憶體條DDRSDRAM(DualDataRateSDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多採用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR記憶體是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補記憶體頻寬上的不足。第一代DDR200規範並沒有得到普及，第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz頻寬）是由PC133SDRAM記憶體所衍生出的，它將DDR記憶體帶向第一個高潮，另外還有不少賽揚和AMDK7處理器都在採用DDR266規格的記憶體，其後來的DDR333記憶體也屬於一種過渡，而DDR400記憶體成為當下的主流平台選配，雙通道DDR400記憶體已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533規範則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時代
DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於廣泛套用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代套用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。
隨著CPU性能不斷提高，我們對記憶體性能的要求也逐步升級。不可否認，僅僅依高頻率提升頻寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC組織很早就開始醞釀DDR2標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2記憶體的支持，所以DDR2記憶體將開始演義記憶體領域的今天。
DDR2能夠在100MHz的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s的頻寬，而且其接口將運行於1.8V電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令，提升記憶體頻寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2記憶體將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2記憶體將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2記憶體將採用0.13微米的生產工藝，記憶體顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
記憶體技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態記憶體在五年內不會普及。QBM與RDRAM記憶體也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXualChannelMemory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是大多數較新的晶片組支持的一種記憶體標準，VCM記憶體主要根據由NEC公司開發的一種“快取式DRAM”技術製造而成，它集成了“通道快取”，由高速暫存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM記憶體稱為VCMSDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。可以支持VCMSDRAM的晶片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAM
Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100記憶體的800MB/s頻寬已經不能滿足需求，而PC-133的頻寬提高並不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣RambusDRAM(DirectRambusDRAM)，如圖4-3所示。
RambusDRAM是：Rambus公司最早提出的一種記憶體規格，採用了新一代高速簡單記憶體架構，從而可以減少數據的複雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit匯流排，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論頻寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一比特是屬於保留比特，可能以後會作為：ECC(ErroI·CheckingandCorrection，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連線記憶體控制器和RIMM(RambusIn-lineMemoryModules，Rambus內嵌式記憶體模組)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高記憶體的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus記憶體甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由於最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3記憶體模組將會從800Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個記憶體廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM核心的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
DDR4時代
DDR4記憶體將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4記憶體其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分信號技術的DDR4記憶體其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4記憶體將會同時存在基於傳統SE信號和差分信號的兩種規格產品。
根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4記憶體將會是Single-endedSignaling(傳統SE信號)方式DifferentialSignaling(差分信號技術)方式並存。預計這兩個標準將會推出不同的晶片產品，因此在DDR4記憶體時代我們將會看到兩個互不兼容的記憶體產品
主要區別
記憶體ddr,ddrii,ddr3的區別與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。
在了解DDR2記憶體諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1．延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，DDR200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，DDR2-400和DDR400具有相同的頻寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2．封裝和發熱量：
DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR記憶體通常採用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式。不同於廣泛套用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2記憶體採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。
OCD（Off-ChipDriver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDRII通過OCD可以提高信號的完整性。DDRII通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主機板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
PostCAS：它是為了提高DDRII記憶體的利用效率而設定的。在PostCAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（AdditiveLatency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
DDR3與DDR2主要區別
1．突髮長度（BurstLength，BL）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BurstLength，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurstChop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2．定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3．DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3記憶體將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與傳送器都將關閉，所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4．DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之後用512個時鐘周期，在退出自刷新操作後用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5．參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對於記憶體系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
6．點對點連線（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個記憶體控制器只與一個記憶體通道打交道，而且這個記憶體通道只能有一個插槽，因此，記憶體控制器與DDR3記憶體模組之間是點對點（P2P）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在記憶體模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級記憶體緩衝器）。
7．邏輯Bank數量
DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
8．根據溫度自動自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature）
為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，AutomaticSelf-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM晶片的溫度感測器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證數據不丟失的情況下，儘量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3記憶體都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度範圍（SRT，Self-RefreshTemperature）。通過模式暫存器，可以選擇兩個溫度範圍，一個是普通的的溫度範圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度範圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。
9．局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh）
這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3記憶體晶片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型記憶體（MobileDRAM）的設計很相似。
10．封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2記憶體的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。Intel將推出的新晶片-熊湖(BearLake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
記憶體異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是記憶體工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為記憶體異步工作模式。首先，最早的記憶體異步工作模式出現在早期的主機板晶片組中，可以使記憶體工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統記憶體性能或者使老記憶體繼續發揮餘熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，不少主機板晶片組也支持記憶體異步工作模式，例如Intel910GL晶片組，僅僅只支持533MHzFSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR266、工作頻率為166MHz的DDR333和工作頻率為200MHz的DDR400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的記憶體其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使記憶體拖CPU超頻能力的後腿，此時可以調低記憶體的工作頻率以便於超頻，例如AMD的Socket939接口的Opteron144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕鬆超上300MHz，而此如果在記憶體同步的工作模式下，此時記憶體的等效頻率將高達DDR600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主機板BIOS中把記憶體設定為DDR333或DDR266，在超上300MHz外頻之後，前者也不過才DDR500(某些極品記憶體可以達到)，而後者更是只有DDR400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設定記憶體異步模式有助於超頻成功。
主機板晶片組幾乎都支持記憶體異步，英特爾公司從810系列到較新的875系列都支持，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。
性能指標
記憶體條(1)存儲容量：即一根記憶體條可以容納的二進制信息量，如常用的168線記憶體條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。
(2)存取速度（存儲周期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
(3)存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
(4)性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容，性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。
選購意見
選購記憶體條時除了要考慮前面介紹的引腳數、容量和存取速度之外，還要考慮以下幾個因素：
(1)奇偶性
為了保證記憶體存取數據的的準確性，有些記憶體條上有奇偶校驗位，如3片或9片裝的記憶體條。如果您對電腦運行的準確性要求很高，最好選擇有奇偶校驗功能的記憶體條。
(2)價格
雖然新版本記憶體條和舊版本記憶體條相比，價格已經大幅下降，但不同的品牌和性能，價格還是有一些差別，您可根據自己的需要和預算情況選擇適合自己的價位。另外，購買記憶體時您還須注意品牌和質量，生產記憶體的廠家較多，質量較為可靠的品牌有：韓國LG、金士頓，日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本松下。
記憶體在電腦中起著舉足輕重的作用。記憶體一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），唯讀存儲器（ROM），以及高速快取（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
通常所說的記憶體即指電腦系統中的RAM。
問題及解決
記憶體條1、無法正常開機
支招：遇到這類現象主要有三個解決的途徑：第一，更換記憶體的位置，這是最為簡單也是最為常用的一種方法，一般是把低速的老記憶體插在靠前的位置上。第二，在基本能開機的前提下，進入BIOS設定，將與記憶體有關的設定項依照低速記憶體的規格設定。比如：使用其中的一根記憶體（如果是DDR333和DDR400的記憶體混合使用，最好使用DDR333的記憶體），將計算機啟動，進入BIOS設定，將記憶體的工作頻率及反應時間調慢，以老記憶體可以穩定運行為準，方可關機插入第二根記憶體。
2、計算機運行不穩定
支招：遇到這類問題的出現主要是記憶體兼容性造成的，解決的基本思路是與上面大體相同。第一，更換記憶體的位置。第二，在BIOS中關閉記憶體由SPD自動配置的選項，改為手動配置。第三，如果主機板帶有I/O電壓調節功能，可將電壓適當調高，加強記憶體的穩定性。
3、混插後記憶體容量識別不正確
支招：造成這種現象的原因，第一種可能是主機板晶片組自身的原因所造成的，一些老主機板只支持256MB記憶體的容量（i815系列只支持512MB），超出的部分，均不能識別和使用。當然還有一些情況是由於主機板無法支持高位記憶體顆粒造成的，解決這類問題的惟一方法就是更換主機板或者記憶體。另外在一些情況下通過調整記憶體的插入順序也可以解決此問題。
記憶體混插不穩定的問題是一個老問題了。面對這種情況，筆者建議您在選購記憶體條時，要選擇象金士頓、金泰克這些高品質記憶體，因為它們的電氣兼容性及穩定性都比較出色，出現問題的幾率要低一些，並且售後也都有保障。
另一部分是因為記憶體在使用過程中，金手指與主機板的插槽接觸不良引起或者是中了病毒等原因引起的問題，具體出現的記憶體問題及支招如下。
4、電腦無法正常啟動
打開電腦主機電源後機箱報警喇叭出現長時間的短聲鳴叫，或是打開主機電源後電腦可以啟動但無法正常進入作業系統，螢幕出現"Error:UnabletoControlA20Line"的錯誤信息後並當機。
支招：出現上面故障多數是由於記憶體於主機板的插槽接觸不良引起。處理方法是打開機箱後拔出記憶體，用酒精和乾淨的紙巾對擦試記憶體的金手指和記憶體插槽，並檢查記憶體插槽是否有損壞的跡象，擦試檢查結束後將記憶體重新插入，一般情況下問題都可以解決，如果還是無法開機則將記憶體拔出插入另外一條記憶體插槽中測試，如果此時問題仍存在，則說明記憶體已經損壞，此時只能更換新的記憶體條。
5、開機顯示“ONBOARDPARLTYERROR”
支招：出面這類現象可能的原因有三種，第一，CMOS中奇偶較驗被設為有效，而記憶體條上無奇偶較驗位。第二，主機板上的奇偶較驗電路有故障。第三，記憶體條有損壞，或接觸不良。處理方法，首先檢查CMOS中的有關項，然後重新插一下記憶體條試一試，如故障仍不能消失，則是主機板上的奇偶較驗電路有故障，換主機板。
6．Windows系統中運行DOS狀態下的套用軟體(如DOS下運行的遊戲軟體等)時出現黑屏、花屏、當機現象。
支招：出現這種故障一般情況是由於軟體之間分配、占用記憶體衝突所造成的，一般表現為黑屏、花屏、當機，解決的最好方法是退出windows作業系統，在純DOS狀態下運行這些程式。
7．Windows運行速度明顯變慢
支招：系統出現許多有關記憶體出錯的提示。這類故障一般是由於在windows下運行的應用程式非法訪問記憶體、記憶體中駐留了太多不必要的外掛程式、應用程式、活動視窗打開太多、應用程式相關配置檔案不合理等原因均可以使系統的速度變慢，更嚴重的甚至出現當機。這種故障的解決必須採用清除一些非法外掛程式（如3721）、記憶體駐留程式、減少活動視窗和調整配置檔案(INI)等，如果在運行某一程式時出現速度明顯變慢，那么可以通過重裝應用程式的方法來解決，如果在運行任何套用軟體或程式時都出現系統變慢的情況，那么最好的方法便是重新安裝作業系統。
8．記憶體被病毒程式感染後駐留記憶體中
CMOS參數中記憶體值的大小被病毒修改，導致記憶體值與記憶體條實際記憶體大小不符，在使用時出現速度變慢、系統當機等現象。
支招：先採用最新的防毒軟體對系統進行全面的防毒處理，徹底清理系統中的所有病毒。由於CMOS中已經被病毒感染，因此可以通過對CMOS進行放電處理後恢復其默認值。方法是先將CMOS短接放電，重新啟動機器，進入CMOS後仔細檢查各項硬體參數，正確設定有關記憶體的參數值。
9．電腦選擇了與主機板不兼容的記憶體條
支招：在升級電腦的記憶體條之前一定要認真查看主機板使用說明，如果主機板不支持512M以上大容量記憶體，即使升級後也無法正常使用。如果主機板支持，但由於主機板的兼容性不好而導致的問題，那么可以升級主機板的BIOS，看看是否能解決兼容問題。
設計難點
高速信號多，等長線分組較多，且要求較嚴格；
因PCB板層數較多，信號速率較高，疊層及參數平面的設計較講究。
作用分類
記憶體的作用
記憶體條記憶體的分類
記憶體分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特徵是斷電後數據會丟失，我們平時說的記憶體就是指這一種；後者又叫唯讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存於主機板上ROM中的BIOS程式，然後再由它去調用硬碟中的Windows，ROM的一個主要特徵是斷電後數據不會丟失。
根據記憶體條上的引腳多少，我們可以把記憶體條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的記憶體條又稱為單列存儲器模組SIMM，(SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的記憶體結構，)168線的記憶體條又稱為雙列存儲器模組DIMM。30線記憶體條已經沒有了；前兩年的流行品種是72線的記憶體條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；市場的主流品種是168線記憶體條，168線記憶體條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基於VX、TX、BX晶片組的主機板才支持168線的記憶體條。
EDO和SDRAM
前面我們已經按引腳數的多少把記憶體條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結構和性能上還有著本質的區別。
譬如，72線記憶體條是一種EDO記憶體，而現今主流的168線記憶體條幾乎清一色又都是SDRAM記憶體；EDO記憶體的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了；而SDRAM記憶體的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO記憶體已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，只有升級擴充舊電腦記憶體時還用得著它。
其實，EDO記憶體被SDRAM所取代有其必然性，因為，市場上主流CPU的主頻已高達2G赫茲，未來CPU的主頻還會越來越高。但由於傳統記憶體條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個記憶體瓶頸的問題，我們就必須採用新的記憶體結構，即SDRAM。因為，從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鐘周期。SDRAM內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲陣列訪問數據的同時，另一個已準備好讀寫數據，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒，所以，SDRAM已成為記憶體發展的主流。
當然，EDO記憶體也並沒有完全舉手投降，相反，憑藉其出色的視頻特性和低廉的價格，在顯示記憶體等領域仍是連連得手，眾多低檔顯示卡更是無一例外地採用EDO記憶體。另外，許多硬碟、光碟機和印表機也是採用EDO快取，可見，EDO記憶體還真是寶刀不老啊！
RAM有些像教室里的黑板，上課時老師不斷地往黑板上面寫東西，下課以後全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電，否則數據會丟失。如果在關閉電源以後RAM中的數據也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處於上一次關機的狀態，而不必每次都重新啟動電腦，重新打開應用程式了。但是RAM要求不斷的電源供應，那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步，人們想到了一個辦法，即給RAM供應少量的電源保持RAM的數據不丟失，這就是電腦的待機功能，特別在Win2000里這個功能得到了很好的套用，休眠時電源處於連線狀態，但是耗費少量的電能。
按記憶體條的接口形式，常見記憶體條有兩種：單列直插記憶體條（SIMM），和雙列直插記憶體條（DIMM）。SIMM記憶體條分為30線，72線兩種。DIMM記憶體條與SIMM記憶體條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。
按記憶體的工作方式，記憶體又有FPAEDODRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。
FPM（FASTPAGEMODE）RAM快速頁面模式隨機存取存儲器：
這是較早的電腦系統普通使用的記憶體，它每隔三個時鐘脈衝周期傳送一次數據。
EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM
擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO記憶體取消了主機板與記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔，他每隔兩個時鐘脈衝周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO記憶體已經被SDRAM所取代。
S（synchronous）DRAM
同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO記憶體提高50%。
DDR（DOUBLEDATARATE）RAM
SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
RDRAM（RAMBUSDRAM）存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器；
RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統頻寬，晶片到晶片接口設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內通過一個簡單的匯流排傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支持。
記憶體的參數主要有兩個：存儲容量和存取時間。存儲容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒（NS）為單位來計算。一納秒等於10億分之一秒。數字越小，表明記憶體的存取速度越快。
