基本參數：
類別：分離式半導體產品
家庭：MOSFET，GaNFET-單
系列：HEXFET®
FET型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)@25°C：140A
Id時的Vgs(th)（最大）：2.3V@250µA
閘電荷(Qg)@Vgs：[email protected]
在Vds時的輸入電容(Ciss)：4010pF@15V
功率-最大：140W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DPak,SC-63,TO-252(2引線+接片)
包裝：帶卷(TR)
