莫斯-布爾斯坦效應（moss-burstein effect）是由泡利不相容原理引起的，當在半導體中摻雜增加時其帶隙改變，價帶頂和導帶中未占據能態發生分離。n型重摻雜時由於費米能級在導帶中而使帶隙改變加大（p型時在價帶中），由於載子濃度過高，在導帶已經有一些電子填入時，使電子從價帶躍遷至導帶則需要更多的能量，滿帶阻礙熱激發和光激發，從而效應是n型半導體中可以增強能帶間隙寬，從而影響某物質的螢光發射和紫外吸收的峰位置。該效應稱之為Burstein Moss effect（莫斯-布爾斯坦效應），也稱之為藍移效應。其常用於螢光光譜的解釋中。
n型半導體材料波長移動計算公式：ΔEBM=[1+（m*e）/(m*h)][(3/π)2/3(h2)/(8m*e)n2/3-4KT]
式中：h 普朗克常量；K，玻爾茲曼常數；T，絕度溫度；n，導帶電子濃度；m*e，m*h分別為電子和空穴的有效質量。
