當一個電子從放電極(陰極)向收塵極(陽極運動時,若電場強度足夠大,則電子被加速,在運動的路徑上碰撞氣體原子會發生碰撞電離。和氣體原子.第一次碰撞引起電離後,就多了一個自由電子。這兩個自由電子向收塵極運動時,又與氣體原子碰撞使之電離,每一原子又多產生一個自由電子,於是第二次碰撞後,就變成四個自由電子,這四個電子又與氣體原子碰撞使之電離,產生更多的自由電子。所以一個電子從放電極到收塵極,由於碰撞電離,電子數將雪崩似地增加,這種現象稱為電子雪崩。由於電子雪崩現象使電子數按等比級數不斷增加,其增加情況如圖所示
電子雪崩過程示意圖
相關詞條
-
雪崩效應
雪崩效應好比就是水滴石穿、蝴蝶效應,說的都是一個小因素的變化,卻往往有著無比強大的力量,以至於最後改變整體結構、產生意想不到的結果。
文獻解釋 形象解釋 範例 太陽能電池的雪崩效應 -
半導體雪崩光電二極體
半導體雪崩光電二極體是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這...
工作原理 雪崩二極體的發明 影響回響速度的因素 優點 -
雪崩擊穿
材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強。這樣通過空間電荷區的電子和空穴,就會在電場作用下,使獲得的能量增大。在晶...
概念 擴展閱讀 -
半導體中的雪崩倍增效應
。這種現象稱為雪崩倍增效應。 半導體中的雪崩倍增效應 半導體中的雪崩倍增...增加,這種現象稱為雪崩擊穿。對於矽、鍺的PN結,當擊穿電壓大於6Eg/q時(Eg是禁頻寬度,q是電子電荷),擊穿由雪崩效應引起,而當擊穿電壓小於...
半導體中的雪崩倍增效應 正文 配圖 相關連線 -
雪崩光電二極體
Diode) 分類:
概述 相關條目 -
電子轉移器件
電子轉移器件是基於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中電子在導帶中從主能谷轉移到子能谷而產生負微分遷移率而製成的實用性器件,又稱耿氏效應器件或體效應器件。1961~1...
簡介 背景 條件 參考書目 -
現代電子材料與元器件
《現代電子材料與元器件》是由王巍 馮世娟創作的圖書。
內容簡介 目錄 -
二極體
空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。 類型二極體種類有...。3. 擊穿 外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電...
特性與套用 工作原理 類型 導電特性 參數概念 -
光電效應
定律定義光電效應中的電子圖1905年,愛因斯坦提出光子假設,成功解釋...性質發生變化。這類光變致電的現象被人們統稱為光電效應...光電效應,又稱光生伏特效應。前一種現象發生在物體表面,又稱外光電效應。後兩種...
定律定義 研究歷史 實驗驗證 分類 衍生