遏制電流尖峰

為滿足嚴格的待機功耗規範要求，一些多路輸出電源被設計為在待機信號為活動狀態時斷開輸出連線。通常情況下，通過關閉串聯旁路雙極電晶體(BJT)或MOSFET即可實現上述目的。對於低電流輸出，如果在設計電源變壓器時充分考慮到電晶體的額外壓降情況，則BJT可成為MOSFET的合適替代品，且成本更為低廉。
BJT串聯旁路開關，電壓為12V，輸出電流強度為100mA，並帶有一超大電容(CLOAD)。電晶體Q1為串聯旁路元件，由Q2根據待機信號的狀態來控制其開關。電阻R1的值是額定的，這樣可確保Q1有足夠的基值電流在最小Beta和最大的輸出電流下以飽和的狀態工作。PI建議額外添加一個電容器(Cnew)，用以調節導通時的瞬態電流。如果不添加Cnew，Q1在導通後即迅速進入電容性負載，並因而產生較大的電流尖峰。為調節該瞬態尖峰，需要增加Q1的容量，這便導致了成本的增加。