蘭光科技園

基本信息

蘭光科技大樓項目基本指標
結構類型	框架結構	建築類別		綜合樓
用地面積	13618.6	建築面積		48275.51
層數	地上八層	面積		39987.89
	地下一層			8287.62
其中	管理總部3-8	30683.27
	研發基地1-2	9304.62
建築高度	29.95	容積率	2.94
首層	層高4米	2—8層	每層高3.65米
電梯	9部

蘭光科技園

簡介

蘭光科技大廈（蘭光科技園）位於深圳市高新區北區西片，東側與海能達大廈相望，西側毗鄰大族雷射，南側為北環路輔道，北側為新西路。附近設有科苑立交公交站，30多條 公交線路通達各區，交通便利，配套設施齊全。

蘭光科技大廈用地面積13618.6平方米,建築面積48275.51平方米，為地下一層，地上八層的建築，地上面積39987.89平方米，地下面積8287.62平方米，計入容積率面積為39987.89平方米，容積率為2.94,總高度30.4米，停車位230個。覆蓋率33.97%，屬於覆蓋率較高的建築物，為使綠化面積儘量集中，建築物布局採用建築物沿用地周邊布置，並在東側開放的“U”字型布局，使綠化環境面積相對集中又利於東南風的進入。該項目為框架結構，建築平面布置靈活，能夠較大滿足建築使用要求。