簡介
在製作半導體積體電路中採用空氣隔離方法時,通常就是將電路各元器間原需製作隔離槽的那部分矽片全腐蝕掉,使這些元器件形成相互隔離的“小島”。 “小島”之間的互連和它們之間的機械支托則通過梁式引線來完成。
工藝流程
(1)用平面工藝製造所要求的電子元件、器件。
(2)形成玻璃層:用外延法、濺射法或塗復法等方法在矽片表面生成一厚度為20微米左右的均勻玻璃層。太薄或太厚對製造工藝都要帶來困難。
(3)在玻璃層上刻引線孔,按連線要求用通常的蒸發、反刻方法完成金屬布線。
(4)在矽片背面進行隔離腐蝕,使備器件間以空氣實現隔離。腐蝕過程與介質隔離中的刻槽類似,但是光刻隔離圖形時要用紅外顯微鏡來對準。
優點
空氣隔離法的優點是:
1)使MOS電路的分布電容比一般MOS電路小。
2)消除了在矽表面上易於產生的反型溝道,減少了源一漏之間的漏電流。
3)因在藍寶石上蒸發鋁膜相連,因而消除了因二氧化矽裂縫造成的鋁與矽基底的短路。
套用
空氣是最理想的絕緣材料,因此,就隔離性能來說,空氣隔離法比其他任何隔離方法都更為優越。但是,由於這種方法的工藝比較複雜,所以目前還較少採用。