積體電路的線寬通常可理解為所加工的電路圖形中最小線條寬度，但在MOS電路中，人們也常柵極長度來定義線寬。集成度與線寬有對應關係，即集成度越高，線寬越小，所以，線寬也常用來表示積體電路制度技術水平的高低。現在，世界上生產積體電路的主流產品線寬為0.25微米。滿足0.25微米線寬要求的矽拋光片，可用於批量生產64M 積體電路，也可用於試製256M積體電路樣片。
積體電路的集成度是指單塊晶片上所容納的元件數目。集成度越高，所容納的元件數目越多。如目前已批量生產的64M積體電路，集成度為64M，粗略地講，這種單塊晶片上集成有6000萬個元件。
目前，世界上做先進的積體電路線寬已降到0.13微米，即130納米!積體電路發展的極限是指電子計算機積體電路的電路線寬細到0.01微米。按照現在積體電路的概念，1納米（0.001微米）的工藝是難以實現的，因為這時量子效應已經呈現出來，器件已經不能按原來的機理來正常工作了。在1納米尺寸時，只有利用量子效應、採用所謂量子電子器件來構成電路。那將使積體電路更上一個新的台階，世界也將會大放光彩。
我國大力扶持積體電路產業。根據新18號文(國務院進一步鼓勵軟體產業和積體電路產業發展的若干政策)，對積體電路線寬小於0.8微米（含）的積體電路生產企業，經認定後，自獲利年度起，第一年至第二年免徵企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半徵收企業所得稅；對原18號文中積體電路線寬小於0.25微米或投資額超過80億元的積體電路生產企業，經認定後，減按15%的稅率徵收企業所得稅，其中經營期在15年以上的，自獲利年度起，第一年至第五年免徵企業所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半徵收企業所得稅。
