砷化鎵外延片

GaAs epitaxial wafer
在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
工業選擇取決於器件結構等因素，一般LPE、VPE多用於商品化器件，如光探測器、霍爾器件等。MBE、CBE、ALE多用於量子阱超晶格材料。MOCVD兩方面兼而有之。