簡介
矽穿孔（英語： Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做 矽通孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。
TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via First, Via Last），從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。
TSV技術在三維封裝和三維積體電路中具有重要套用，對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月，韓國三星表示已成功將TSV技術套用在“晶圓級堆疊封裝”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片，以雷射鑽孔打造出TSV製程，高度是0.56mm。2007年4月三星公布其以WSP技術套用在DRAM的產品，共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止，晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限，僅有CMOS（CIS）影像感測器、MEMS等少數幾種。
晶圓
晶圓（英語：Wafer）是指製作矽半導體積體電路所用的矽晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓是生產積體電路所用的載體，一般晶圓產量多為單晶矽圓片。
晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格，近來發展出12英寸甚至研發更大規格（14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等）。晶圓越大，同一圓片上可生產的積體電路（integrated circuit, IC）就越多，可降低成本；但對材料技術和生產技術的要求更高，例如均勻度等等的問題。一般認為矽晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有更好的技術，在生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。
積體電路
積體電路（英語：integrated circuit，縮寫：IC；德語：integrierter Schaltkreis）、或稱 微電路（microcircuit）、 微晶片（microchip）、晶片/晶片（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。
前述將電路製造在半導體晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種厚膜（thick-film）積體電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、傑弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的羅伯特·諾伊斯，卻早於1990年就過世。
參見
•系統單晶片（SoC）
•系統級封裝（SiP）
