相關詞條
-
外延生長
外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時...
原理 過程 質量檢測 工藝進展 -
異質結原理與器件
半導體LED的基本結構 半導體LED的光學性質 梯度帶隙半導體的光學性質
內容簡介 目錄 -
半導體異質結物理
《半導體異質結物理》，是虞麗生編著，科學出版社出版的書籍。
圖書相信 內容簡介 目錄 -
LED外延片
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片，材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技...
簡介 發展 紅黃光 藍綠光 -
分子束外延法
分子束外延（MBE）是一種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內源材料經高溫蒸發，產生分子束流，入射分子束與襯底交換能量後，經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。
名稱 定義 特點 技術 難點 -
半導體外延
3.CMOS源（source）漏（drain source/drain 4.應變矽（strain
-
mbe[分子束外延]
分子束外延是一種新的晶體生長技術，簡記為MBE。
英文名稱 定義 相關技術 技術難點 國外概況 -
分子束外延
分子束外延（MBE）是新發展起來的外延制膜方法，也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種製備單晶薄膜的新技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶...
原理 特點 套用 -
外延生長工藝
。外延有同質外延和異質外延之分，可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底。外延層可以和原單晶片具有不同的導電類型，利用這一特性，可以通過外延生長來...特性外延生長工藝epitaxy growth technology利用...
-
藍寶石上外延矽工藝
藍寶石上外延矽工藝是在藍寶石片上外延生長一層矽薄膜以製作半導體積體電路的技術，簡稱 SOS。
藍寶石上外延矽工藝 正文 配圖 相關連線
