碳化矽、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導體材料，是世界各國競相發展的戰略性、先導性領域，廣泛套用於半導體照明、5G通訊、高端裝備和新能源等產業。為加快發展寬禁帶半導體產業，推動全市新舊動能轉換和產業轉型升級，現結合我市實際，制定若干政策措施如下。
一、強化區域載體建設
（一）支持濟南高新區發展寬禁帶半導體產業。充分發揮濟南高新區在電子信息、智慧型製造等方面的綜合創新和產業優勢，聚焦發展金剛石等寬禁帶半導體材料，加強規劃策劃，加快引進一批寬禁帶半導體晶片和功率器件等重大項目。（責任單位：濟南高新區管委會、市科技局、市經濟和信息化委）
（二）規劃建設寬禁帶半導體小鎮。積極拓展發展空間，在濟南槐蔭工業區規劃建設寬禁帶半導體小鎮，通過重點發展碳化矽、氮化鎵、氧化鎵等材料產業，以及基於寬禁帶半導體的電力電子、光電子、微波射頻等晶片（器件）研發和產業化項目，著力打造具有國際影響力的寬禁帶半導體研發基地和產業聚集區。在規劃編制、建設用地指標、基礎設施建設、標準化廠房建設等方面給予重點支持。鼓勵支持其他省級以上園區引進發展寬禁帶半導體及相關產業。（責任單位：槐蔭區政府、市國土資源局、市規劃局）
二、支持科技成果轉化
（一）成立寬禁帶半導體產業研究院。支持槐蔭區和山東大學聯合國內外研發機構和重點企業，按照新型研發機構模式成立寬禁帶半導體產業研究院。在寬禁帶半導體小鎮規劃建設相關辦公和科研孵化場地，力爭用3—5年時間建成國際先進、國內一流的寬禁帶半導體科技孵化器。市、區兩級財政自2019年起，連續3年每年安排不低於3000萬元的資金支持寬禁帶半導體產業研究院發展，重點用於建設國際先進的寬禁帶半導體研發、檢測和服務公共平台，開展關鍵技術、晶片和器件等科技攻關，研發一批具有自主智慧財產權的新材料、新工藝、新器件。（責任單位：市編辦、市財政局、市科技局）
（二）支持高校院所開展研發活動。支持山東大學等高校和科研院所建設高水平的科技研發和成果轉化平台體系，鼓勵吸引國內外“大院大所”來濟設立研發或成果轉化機構，不斷提高我市寬禁帶半導體的源頭創新和成果產業化能力。認真落實《關於促進高校和科研院所協同創新和成果產業化的若干政策（試行）》（濟人才發〔2017〕7號）規定，兌現我市有關扶持政策。（責任單位：市科技局、市財政局、各區縣政府、濟南高新區管委會）
（三）支持企業研發活動。對於符合條件的年銷售收入2億元以上企業，按其較上年度新增享受研發費用加計扣除費用部分的10%給予補助；年銷售收入2億元（含）以下企業，按其當年享受研發費用加計扣除費用總額的10%給予補助；單個企業年度最高補助金額不超過1000萬元。（責任單位：市科技局、市財政局）
（四）支持重點研發項目。對獲得“核高基”等國家重大科技專項和重點研發計畫支持的寬禁帶半導體項目，市、區兩級財政按照年度國家經費支持額度，給予等比例配套支持。鼓勵企業聯合高校、科研單位共同實施產業關鍵核心技術攻關，符合條件的，支持其申報省重點研發計畫。（責任單位：市科技局、市財政局）
三、創新財政金融支持
（一）加大新舊動能轉換基金支持力度。鼓勵和支持市新舊動能轉換基金體系下設立的產業創投類基金，投向寬禁帶半導體產業，以股權投資等方式支持科技創新、產業培育、項目引進和企業併購。對國家積體電路產業投資基金和省新舊動能轉換等基金投資我市的寬禁帶半導體項目，市新舊動能轉換基金給予重點支持。(責任單位：市財政局、市發改委、市經濟和信息化委、市科技局、濟南產業發展投資集團有限公司)
（二）加大財政資金扶持力度。市級、區縣級預算安排的相關扶持產業發展資金，要將寬禁帶半導體產業列入重點支持領域，並按照有關政策規定給予支持。(責任單位：市財政局、市經濟和信息化委、市科技局)
（三）鼓勵市場化投融資。支持企業通過上市、收購控股上市公司、新三板掛牌等直接融資方式募集資金，對上市掛牌的寬禁帶半導體企業，按照相關政策規定給予扶持和獎勵。鼓勵和支持創業投資、天使投資等各類社會投資機構參與我市寬禁帶半導體企業的孵化和培育工作。(責任單位：市金融辦、市經濟和信息化委、市財政局)
四、加快產業培育發展
（一）支持骨幹龍頭企業發展。對新上寬禁帶半導體重大項目，符合條件的，推薦列入省、市新舊動能轉換重大項目庫，通過協調解決規劃建設中的有關問題，全力推進項目開工建設。對具有發展潛力、掌握核心關鍵技術的企業，按照“一企一策”原則，支持企業逐步完成從材料、器件、模組和系統解決方案全產業鏈的貫通。（責任單位：市發改委、市經濟和信息化委、市科技局）
（二）支持重點建設項目。對企業重點投資的寬禁帶項目，根據企業資產規模、年銷售額、項目投資額、職工人數、技術水平等綜合情況給予扶持獎勵。企業新投資項目實際固定資產（不包括項目用地，下同）達到5000萬元以上的，竣工驗收後獎勵100萬元；企業新投資項目實際固定資產達到1億元以上的，竣工驗收後獎勵200萬元。（責任單位：市經濟和信息化委、市財政局）
（三）對生產研發場地費用給予補貼。對在我市省級以上開發區內租用生產或研發場地的寬禁帶半導體企業，年主營業務收入達到1000萬元以上的，按照“先交後補”的方式對租金予以適當補貼。（責任單位：各區縣政府、濟南高新區管委會）
五、加強“雙招雙引”工作
（一）加大招商引資力度。聚焦世界500強等國內外龍頭企業，圍繞電力電子、光電子、微波射頻等重點領域，加快產業鏈重點環節的項目引進，形成有機聯繫的產業體系。對引進的外資企業，按照《濟南市人民政府關於積極利用外資若干措施的通知》(濟政發〔2017〕21號)兌現有關扶持和獎勵政策。（責任單位：市投資促進局、市經濟和信息化委、市發改委、市科技局）
（二）加強人才引進培養。將寬禁帶半導體領域作為全市人才引進的重要領域，大力引進擁有關鍵核心技術的高端創新創業人才（團隊）以及緊缺急需工種技能人才和專業高校畢業生，並按照《中共濟南市委濟南市人民政府關於深化人才發展體制機制改革促進人才創新創業的實施意見》（濟發〔2017〕16號）兌現有關扶持和獎勵政策。（責任單位：市委組織部、市經濟和信息化委、市科技局）
（三）實行重大支持政策。對引進的國際、國內頂尖人才和研發團隊、重大產業項目和重大研發機構等，按照“一事一議”方式給予綜合性資金和政策支持。（責任單位：市委組織部、市發改委、市科技局、市財政局）
六、推動政策措施落地見效
（一）健全工作機制。市有關部門要加強工作調度，完善督導機制，確保各項工作順利推進。要建立科學合理的績效評價機制和容錯糾錯機制，對基金使用和扶持資金使用效益情況進行綜合分析評價，有效激發各級各部門解放思想、幹事創業的工作熱情。
（二）保障政策落地。本政策自2019年1月1日起施行，有效期三年，具體組織實施工作由市科技局、市經濟和信息化委牽頭負責。凡在我市工商註冊、稅務登記並從事寬禁帶半導體材料、晶片、器件設計製造以及配套支撐的法人單位（包括外資企業），均可享受本政策。已出台的相關政策檔案與本政策有重疊、交叉的，按照“從優、從高、不重複”的原則執行。
