套用學科
材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
相關詞條
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半絕緣砷化鎵
電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位，現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合...
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砷化鎵材料
砷化鎵材料也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路，儘管由砷化鎵取代矽、鍺的構想尚未實現，但它在雷射、發光和微波等方面已顯示出優異的性能。砷化鎵外延技...
正文 -
砷化鎵積體電路
砷化鎵積體電路（gallium arsenide integrated circuit，GaAsIC），是指用半導體砷化鎵（GaAs）器件構成的積體電路...
簡介 套用 工藝流程 砷化鎵 -
砷化鎵
砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕...
基本信息 安全信息 主要特性 材料優點 技術工藝 -
林蘭英[半導體材料學家、中國科學院院士]
綜述林蘭英率先組織和領導了中國生長矽單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶...單晶獲得成功。以後又相繼四次在中國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶，在空間...絕緣砷化鎵製造的微波低噪聲場效應電晶體和模擬開關積體電路的特性及優質品率...
人物生平 主要成就 社會任職 個人生活 人物評價 -
半導體發光材料和器件
及改善均勻性的方法3.7半絕緣砷化鎵單晶生長3.8用高壓單晶爐生長...水平布里支曼法生長砷化鎵單晶3.5液體密封法從熔體中直接生長砷化鎵...複合幾率大第三章 單晶的熔體生長3.1相圖3.2砷－鎵體系...
內容介紹 作品目錄 -
高壓液封直拉法
仍然是從熔體中生長大直徑磷化物單晶的最好方法之一。製備砷化鎵單晶高壓液封直拉...方法還可製取較大直徑的圓形 100 晶片。工藝中控制砷/鎵比是獲得半絕緣不...問題。採用氧化硼為密封劑，進行磷化鎵等直拉單晶生長，這種技術稱為高壓液封...
簡介 工藝特點 製備砷化鎵單晶 -
陳諾夫
GaMnSb和GaMnN薄膜；創建了非破壞性定量檢測砷化鎵單晶化學配比的方法，及顯示砷化鎵單晶缺陷的超聲腐蝕方法；系統研究了半絕緣砷化鎵單晶的化學配比...依據；對太空生長的半絕緣砷化鎵單晶進行了材料性能研究，及微波器件套用研究...
人物簡介 完成/在研主要項目 代表性論文 -
化合物半導體積體電路
。由於二代半技術對功放的效率和散熱有更高的要求，所以這對砷化鎵有利。三代技術要求更高的工作頻率，更寬的頻寬和高線性，這也是對砷化鎵和鍺矽技術有利...基礎的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎材料製成的積體電路，其工作...
有雙極型積體電路和MOS積體電路兩類 厚膜電路與薄膜電路 參考資料
