三維電晶體

英特爾公司４日宣布，已開發出可投入大規模生產的三維結構電晶體，採用新型電晶體的晶片在能耗降低的同時，其性能有望得到大幅提升。 英特爾說，它將是首款採用新型三維電晶體的量產晶片。 英特爾提供的數據顯示，與該公司的３２納米晶片中採用的二維電晶體相比，三維電晶體在低電壓下性能可提高３７％，完成同樣工作的能耗可降低一半。

英特爾公司４日宣布，已開發出可投入大規模生產的三維結構電晶體，採用新型電晶體的晶片在能耗降低的同時，其性能有望得到大幅提升。
英特爾當天還展示了代號為“常春藤橋”的２２納米微處理器，並計畫今年年底前完成批量生產該微處理器的準備工作。英特爾說，它將是首款採用新型三維電晶體的量產晶片。
與目前在電腦等產品中得到廣泛套用的二維晶體管相比，三維電晶體在技術上有突破之處。英特爾介紹說，其研究人員在２００２年發明了“三柵”結構的三維電晶體。經過隨後多年的研發，這一新型電晶體終於進入可大規模生產階段。該公司解釋說，與摩天大樓通過向空中拓展而最佳化利用城市有限空間類似，三維電晶體由於比二維電晶體多出一個垂直結構，使得晶片中的電晶體能被更緊密地封裝。
英特爾提供的數據顯示，與該公司的３２納米晶片中採用的二維電晶體相比，三維電晶體在低電壓下性能可提高３７％，完成同樣工作的能耗可降低一半。英特爾的專家說，這些優點意味著新型電晶體非常適合用於小型手持裝置，有望進一步提高現有裝置的智慧型化程度，並使設計和開發其他全新裝置成為可能。