倍增效應

發生倍增效應的基礎或者先決條件是碰撞電離。半導體或絕緣體在高電場作用下,其中載流子將加速運動而獲得能量(成為熱載流子),當載流子能量(動能)大于禁頻寬度(實際上應該大於1.5倍禁頻寬度)、並與價鍵上的電子(即價帶中的價電子)相碰撞時,就可以產生本徵激發——產生出一個電子-空穴對,這就是碰撞電離作用。

這裡介紹的是電子學中的倍增效應,也稱為雪崩倍增效應
(1)產生倍增效應的先決條件:

碰撞電離的強弱用電離率(或電離係數)α來表征,電離率就是一個載流子在強電場作用下,走過單位距離時所產生出來的電子-空穴對的數目。電離率與電場和禁頻寬度密切有關:隨著電場的增強而指數式增大,隨著禁頻寬度的增大而指數式減小。

(2)雪崩倍增效應:

 如果碰撞電離過程發生很頻繁,不斷產生出電子-空穴對,這是一系列相繼的連鎖過程,瞬間即可產生出大量的電子-空穴對——雪崩倍增效應。這是導致材料和器件發生擊穿的一種重要機理。
雪崩倍增效應的強弱用雪崩倍增因子M來表示。對於p-n結,當輸出電流與輸入電流之比為無窮大(即M趨於無窮大)時即產生雪崩擊穿;如果採用電子和空穴的電離率(在1cm路程上所產生的電子-空穴對的數目)來描述擊穿的話,就是當電離率在勢壘區中的積分等於1時即發生擊穿。這些就是p-n結髮生擊穿的條件。但是存在倍增效應並不意味著一定會擊穿。因為如果不滿足擊穿條件的話,就不會擊穿。

(3)倍增效應的套用舉例:

 倍增效應在實際中的套用很廣泛。例如,雪崩光電二極體,就是利用倍增效應來放大微弱光信號的。再如,IMPATT二極體,也是利用倍增效應來實現微波振盪與放大的。

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